多芯片封装产品成市场主流

　　多芯片封装(MCP)技术可以将FLASH、DRAM等不同规格的芯片利用系统封装方式整合成单一芯片，生产时间短、制造成本低，且具低功耗、高数据传输速率等优势，已经是便携式电子产品内置内存产品最主要的规格。另外，数字电视、机顶盒、网络通信产品等也已经开始采用各式MCP产品。

　　2004年，MCP的全球需求量由2003年的2.3亿块增长到3.4亿块，增长了47.8%。预计2005年全球需求量将达到4.2亿块。包括Samsung、Hynix、Intel等重量级IC厂商都纷纷看好此市场前景，竞相推出相关产品。目前Renesas的嵌入式存储器出货量中大约90%是MCP，Spansion公司无线市场上存储器的出货量80%也是MCP，而两年前这一比例只有30%。

　　SRAM发展面临挑战

　　针对不同的应用市场，SRAM产品的技术发展已经呈现出了两大趋势：一是向高性能通信网络所需的高速器件发展；另一个是降低功耗，以适应蓬勃发展的便携式应用市场。

　　2004年，手机等移动终端市场对SRAM的需求约占总需求的50%左右，另有30%左右的SRAM产品被通信市场消化。

　　未来SRAM市场的增长将是平稳和渐进的。这种特点一方面与其所服务的应用市场的发展有关，更重要的一点是传统的SRAM技术正在受到其他竞争性的DRAM技术的冲击。例如，在高速网络方面，FCRAM和RLDRAM技术正在相互竞争中快速成长；在便携式应用领域，诸如CellularRAM与Mobile FCRAM等PSRAM产品也正在逐渐挤压原先由SRAM独占的低功耗应用空间。

　　DDR2成主流尚需时日

　　在2004年第二季度举办的Intel信息技术峰会(IDF)上，许多DRAM厂商都推出了DDR2产品的样片，但是，DDR2成为市场主流还需要时日。目前，DDR2产品的价格还很高。而DDR2产品价格偏高主要因素有以下几个方面：首先，因为DDR2器件尺寸的增加，每个晶圆上生产出更少的器件；其次，DDR2采用了成本较高的BGA封装和速度更快的测试，也增加了成本。通常，产品在进入市场的前6个季度都会存在价格偏高的现象，随着技术的发展和产量的增加，DDR2产品的价格将会不断下降。总之，DDR和DDR2产品还必然会在市场上并存很长一段时间。

手机成技术发展推动力

　　手机正在取代PC成为高密度半导体存储器的技术驱动器，而且很可能在未来几年主导存储器市场的发展。随着市场从简单的语音终端转向功能电话、智能电话及移动媒体网关，这种小型的设备已经具备操作系统及文件系统。

　　为了满足这种市场需求，一场竞争已经在四种产品中展开：目前用于保存易失数据的DRAM存储器，用于代码存储的NOR FLASH，试图提高速度以超越附加卡应用的NAND FLASH，以及已经在一些功能电话中出现的微型硬盘。

　　在2004年Electronica展览会上，Samsung发布了采用90纳米工艺的1Gb OneNAND。这种带有一个NOR接口的NAND闪存具有高达5Kb的内部缓存RAM，它能提供100 Mbps的恒定读取速率，这比现有的NAND FLASH快4倍。M-Systems提供了基于NAND的固态磁盘仿真硬件。该产品可以将媒体数据直接写入系统，而不必将其在DRAM中进行缓存，可以减少系统中DRAM的数量。Spansion声称将把其NOR MirrorBit FLASH发展成与普通NAND FLASH具有相同密度和价位水平的产品，同时提供更快的速度和更高的可靠性。

　　数字电视将成市场第二推动力

　　在消费性电子市场里，由于数字电视采用密度相对较高的DRAM，一旦数字电视开始大量出货时，它将很有可能成为影响DRAM市场的重要因素。

　　数字电视用存储器基本上与其分辨率和显示屏幕大小有关。由于影像处理需大量数据传输与运算，因此数字电视使用内存密度大约在2Mb到16Mb这个范围。一般而言，分辨率愈高、屏幕面积愈大，所需的内存密度也愈高。在某些高端数字电视机里，DDR DRAM也被采用。

　　手机存储器容量攀升

　　手机里的存储器大多使用LP SRAM，因为SRAM比DRAM省电。但是随着未来手机、PDA等产品的分界线越来越模糊，手机上的功能也越来越多，这将使手机对存储器容量的需求逐渐攀升。在容量提升方面有所限制的LP SRAM将逐渐被淘汰。1T SRAM及LP DRAM在容量方面都比LP SRAM高，而1T SRAM消耗的电量比较少，所以1T SRAM在手机上使用的优势又相对较高。此外，厂商为了节省空间，也会将LP SRAM及NOR FLASH以多芯片封装的方式封装成一个堆栈式内存芯片。未来，若存储器二线厂商打算进入手机用存储器市场，最好先与提供手机用FLASH的国际大厂合作；若选择采用二线厂商或用自产的FLASH芯片，则建议以低价策略取得与手机厂商合作的机会。

直销与分销模式长期并存

　　中国除了联想、方正这些PC制造大厂外，还有大量二线厂商以及遍及全国各地的DIY用户。另外，像深圳的记忆科技和南方高科等本土DRAM模组厂商的规模也不断壮大，因此，除了大订单的合约客户需求以外，还有大量的现货市场需求。

　　在数字消费领域，除了华旗资讯、联想、朗科、中科存储等品牌厂商外，还有像台均这样的大型OEM厂商。另外，在深圳、东莞一带分布着数以百计的MP3、移动存储器厂商。

　　为满足多层次的市场需求，未来中国半导体存储器营销渠道必将是针对大客户的直销与面向众多小客户的分销并存。

　　供货水平成客户关注点

　　随着IT市场竞争的不断加剧，如何能够及时针对市场需求变化特点，提供适销对路的产品至关重要。对于存储器厂商来说，及时、快速的供货能力是市场竞争成败的关键所在。

　　越来越多的半导体存储器厂商加大了对中国半导体存储器市场的开拓力度。未来几年，存储器市场朝渠道扁平化方向发展。更多的存储器厂商将加大进入中国市场的力度，通过与本地集成电路厂商、本土存储器模组厂商以及本地渠道商的合作，提高供货水平。

　　专业分工越来越强

　　从未来几年中国半导体存储器市场的发展趋势来看，专业化的分工越来越明显，存储器厂商将专注于上游芯片供应商的角色，将更多的存储器模组、渠道、服务等环节外包给其他厂商。

　　DRAM厂商除了提供DRAM芯片，还向OEM客户提供DRAM内存模组。随着KINGSTON、KINMAX等内存模组厂商的不断壮大，其在销售渠道、品牌知名度、售后服务等方面具有很强的优势。此外，像记忆科技、南方高科等本土内存模组厂商凭借本地化运作优势，在中国OEM以及品牌电脑市场获得了很高的市场份额。

    2005年我国市场FLASH一枝独秀

    消费与汽车电子领域未来增长最快

　　2005年全球笔记本电脑产业向中国转移速度趋缓，中国笔记本电脑和移动电话的产量增速也逐渐放缓，因此预计半导体存储器市场规模增速也放缓，由2004年的43.4%降低为2005年的20.7%。在随后的两年里，由于微软新的操作系统的发布带来的更换机器新潮流、中国汽车电子的高速发展以及泛网社会的到来，都给半导体存储器市场带来大量需求，预计市场增速在2007年达到高峰，为37.6%，市场规模达到1169.7亿元，而2008年以后，市场增长逐渐放缓，呈现平稳增长态势。

中国DRAM市场的需求主要来自台式PC及笔记本电脑。随着未来几年中国PC以及笔记本电脑产业增长放慢，对DRAM的市场需求也逐渐放缓。虽然DDR2 SDRAM逐渐成为主流，微软Longhorn操作系统即将推出，都使市场增长产生一个跳跃，但DRAM市场终将因为缺少新的增长点，在2007年以后增速再次放缓，在2009年达到873.3亿元。

　　在未来的几年中，FLASH市场会在移动电话、数码相机、移动存储器、MP3和数码摄像机的带动下高速增长。预计未来几年，FLASH市场将以超过20%的增长速度高速增长，并在2009年达到759.4亿元。

　　移动电话是SRAM的最大需求领域，未来几年，随着手机功能的增强，为了缩小体积，越来越多的SRAM被内置进FLASH，同时还受到SRAM接口、DRAM内核和PSRAM的冲击，预计未来几年SRAM市场不会有较大发展。

    EEPROM、EPROM、MASK ROM则受到低密度FLASH价格降低的冲击，市场规模增幅不大。而FLASH MCU的大量使用也会降低对EEPROM、EPROM、MASK ROM的市场需求。另外，FRAM、PFRAM及OUM等新型存储器芯片将会有所发展，但受到价格高、厂商使用习惯等因素影响，未来几年仍不会对DRAM、FLASH的市场有多少影响，短期内市场占有率不会出现太大增长。

电阻

    导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、kΩ、MΩ表示。
一、电阻的型号命名方法：
     国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）
第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。
第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等
例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻a1}

二、电阻器的分类　　　　　　　　　　　　　　
    1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。
    2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。
    3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
    4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。

三、主要特性参数
    1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。
    2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。
    允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00）、±2%-0.2(或0）、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级
    3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。
    线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500
    非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100
    4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。
    5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。
    6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。
    7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。
    8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。
    9、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。

四、电阻器阻值标示方法
    1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。
    2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。
表示允许误差的文字符号
文字符号 D F G J K M
允许偏差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%
    3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。
    4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。
黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色-±20%
当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字， 第三位为乘方数，第四位为偏差。 当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字， 第四位为乘方数， 第五位为偏差。

五、常用电阻器
1、电位器
    电位器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动，取得与电刷位移成一定关系的输出电压。
1.1 合成碳膜电位器
    电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单， 是目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性大， 耐潮性以及阻值稳定性差。
1.2 有机实心电位器
    有机实心电位器是一种新型电位器，它是用加热塑压的方法，将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。
1.3 金属玻璃铀电位器
    用丝网印刷法按照一定图形，将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上，经高温烧结而成。特点是：阻值范围宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好， 是很有前途的电位器品种，缺点是接触电阻和电流噪声大。
1.4 绕线电位器
    绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。
1.5 金属膜电位器
    金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。
1.6 导电塑料电位器
    用特殊工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。
1.7 带开关的电位器
    有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器
1.8 预调式电位器
    预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。
1.9 直滑式电位器
    采用直滑方式改变电阻值。
1.10 双连电位器
    有异轴双连电位器和同轴双连电位器
1.11 无触点电位器
    无触点电位器消除了机械接触，寿命长、可靠性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等。
2、实芯碳质电阻器
    用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。
特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。
3、绕线电阻器
用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。
绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。
4、薄膜电阻器
    用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下：
4.1 碳膜电阻器
    将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。
4.2 金属膜电阻器。
    用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。
金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声， 温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。
4.3 金属氧化膜电阻器
    在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。
4.4 合成膜电阻
    将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。
由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。
5、金属玻璃铀电阻器
    将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。
耐潮湿， 高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。
6、贴片电阻SMT
    片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件，所以高频性能好。
7、敏感电阻
    敏感电阻是指器件特性对温度，电压，湿度，光照，气体， 磁场，压力等作用敏感的电阻器。
敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线，并在旁标注敏感电阻的类型，如：t. v等。
7.1、压敏电阻
    主要有碳化硅和氧化锌压敏电阻，氧化锌具有更多的优良特性。
7.2、湿敏电阻
    由感湿层，电极， 绝缘体组成，湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻，碳湿敏电阻，氧化物湿敏电阻。氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小，缺点为测试范围小，特性重复性不好，受温度影响大。碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低，阻值受温度影响大，由老化特性， 较少使用。
氧化物湿敏电阻性能较优越，可长期使用，温度影响小，阻值与湿度变化呈线性关系。有氧化锡，镍铁酸盐，等材料。
7.3、光敏电阻
    光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件，当某种物质受到光照时，载流子的浓度增加从而增加了电导率，这就是光电导效应。
7.4、气敏电阻
    利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成，主要成分是金属氧化物，主要品种有：金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。
7.5、力敏电阻
    力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻，国外称为压电电阻器。所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。可制成各种力矩计，半导体话筒，压力传感器等。主要品种有硅力敏电阻器，硒碲合金力敏电阻器，相对而言， 合金电阻器具有更高灵敏度。